| 專利號 | 00812263.6 | 申請日 | 2000.05.04 |
| 名稱 | 含有I型鈦氧基酞菁多晶型物的電荷生成層 | ||
| 公開號 | CN1371408 | 公開日 | 2002.09.25 |
| 主分類 | C09B67/04 | 次分類 | C09B67/04;G03G5/06;G |
| 紡織分類 | 研磨或碾磨（67/14優先）（3） | 分案原申請號 | |
| 申請(專利權)人 | 萊克斯馬克國際公司 | 優先權 | 1999.7.26 US 09/360,596 |
| 地址 | 美國肯塔基州 | ||
| 發明(設計)人 | D?G?布萊克;L?L?科爾斯特恩;R?H?勒溫 | 國際申請 | PCT/US00/12337 2000.5.4 |
| 國際公布 | WO01/07526 英 2001.2.1 | 進入國家日期 | 2002.02.28 |
| 機構 | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人 | 王杰 |
| 介紹 | 電荷生成層，其包括在介質研磨機中經預研磨IV型多晶型物制備的I型鈦氧基酞菁多晶型物。雙層光電導體包括與基底和電荷傳輸層結合的電荷生成層。 | ||
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